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魏全香; 王鹏飞; 任正伟; 贺振宏;
山西大学物理电子工程学院,山西太原030006;
中国科学院半导体研究所,北京100083;
异变; InAs量子点; 分子束外延; 发光波长;
机译:基于GaAs的1.5微米InAs / InGaAs与InAs / InAlAs自组装量子点的比较研究
机译:与量子点的InAs-InGaAs系光谱范围1.5微米强大激光器生长在GaAs衬底上
机译:1.5微米inas量子点激光器,基于变质Ingaas / Gaas异质结构
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:应变Inas / Gaas量子点的八波段计算与 一个,四个和六个波段的近似值
机译:基于alGaas基复合Inalas / Inas垂直耦合量子点的注入式激光器。
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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