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杨涛; 季海铭; 徐鹏飞;
中国科学院半导体研究所;
直接调制; 量子点激光器; 分子束外延;
机译:10Gb / s直接调制1.3μmInAs / GaAs量子点激光器
机译:分子束外延生长的高特征温度1.3μmInAs / GaAs量子点激光器
机译:气体源分子束外延生长具有InGaP包覆层的低阈值电流密度1.3μmInAs / InGaAs量子点激光器
机译:1.3μminas / gaas量子点激光器和分子束外延生长的vcsels
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:了解硅上单片1.3μminas / gaas量子点激光器的带宽限制
机译:直接调制下1.3微米InGaasp二极管激光器的光谱特性。
机译:分布式布拉格反射器型直接调制激光器和分布式反馈型直接调制激光器
机译:混合量子点中的介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法。
机译:/混合量子点中电介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法
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