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艾峥;
长春理工大学;
InAs量子点; 光荧光谱; InGaAs减小层; 激光器材料; 发光特性;
机译:1.3微米的量子点半导体圆盘激光器
机译:的GaAs上生长激光器的InAs量子点为1.3范围微米不同的概念比较
机译:1.3微米带p掺杂量子点激光器温度稳定的低驱动电流10Gb / s,直接调制操作在20-90℃时
机译:从GaAs基材上的自组装量子点接近1.3微米的地面和激发态接近1.3微米
机译:1.3微米和1.55微米磷化铟镓砷-磷化铟量子阱激光器
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:消除InAs / GaAs量子点中的双峰大小以制备1.3μm量子点激光器
机译:横向耦合Inas量子点分布反馈激光器,为1.3微米
机译:用于研究具有空间微米或纳米级分辨率(选件)的材料发光特性的设备
机译:波长在1.3至1.5微米之间的表面发射垂直腔激光器及其实现
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