快速退火对InGaAs/GaAs量子点超晶格的影响

摘要

利用光荧光(PL)和双晶X射线(DCXRD)技术，研究了快速退火对MBE生长的量子点超晶格的弛豫机制和光学性质的影响。随着退火温度的提高，PL光谱的半高宽减小了28meV，而且峰位兰移86meV。对应于量子点超晶格的双晶摇摆曲线强度在初始退火温度的是高而减弱，直到消失。然而，随着退火过程中存在着相互竞争的两种弛豫机制：互扩散和自组织。这一结果表明，合适的快速退火对量子点超晶格是有利的。