机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
公开/公告号JP6150371B2
专利类型
公开/公告日2017-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 高知県公立大学法人;
申请/专利号JP20120125420
申请日2012-05-31
分类号H01L21/363;H01L21/365;C30B29/66;C30B29/16;C30B25/20;C23C16/40;C23C14/08;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 13:55:44