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非极性ZnO基单晶薄膜的制备及性能研究

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ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.然而,通常情况下ZnO沿极性c轴方向择优生长.为避免上述弊端,对非极性a面ZnO基单晶薄膜的制备及其性能开展了一系列研究,主要包括高质量、带隙可调的Zn1-xMgxO合金薄膜的制备以及GaN缓冲层对ZnO薄膜晶体质量的提升.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|292|共1页
会议地点苏州
作者
徐晨霄; 陈巍; 潘新花; 叶志镇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.05;
关键词
非极性氧化锌基单晶薄膜; 制备工艺; 氮化镓缓冲层; 晶体质量;

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