公开/公告号CN102074469B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910241539.5
申请日2009-11-25
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周长兴
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:09:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-04-11
授权
授权
2011-07-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20091125
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
机译: 一种调节晶体管的功函数的方法和结构,该晶体管具有高介电常数的栅电极绝缘体和金属栅电极(HKmg)。
机译: 具有高功函数的PMOS器件的金属栅极
机译: 具有高功函数的PMOS器件的金属门