退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
黄安平; 郑晓虎; 杨智超; 肖志松; 陈子瑜;
中国半导体行业协会;
互补型金属氧化物半导体; 金属栅极; 高k介质; 有效功函数调制;
机译:铝离子注入基于H的高k $ /金属栅pMOSFET上的有效功函数调制
机译:了解高k /金属栅叠层的有效功函数调制机制,着重于金属电极/高介电常数绝缘膜界面的物理学
机译:以金属电极/高介电常数绝缘膜界面的物理原理为中心,了解高k /金属栅叠层的有效功函数调制机制
机译:V fb inf>滚降机理与高功函数金属栅和低温氧结合实现PMOS带边功函数
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:化学状态对新型异质结构上金属栅和高κ介电材料有效功函数的影响
机译:关于耐火金属间化合物的热离子功函数与其电子和晶体结构之间关系的理论研究进展报告,1月1日。 - 十一月三十一日1963年
机译:具有高功函数的PMOS器件的金属栅极
机译:具有高功函数的PMOS器件的金属门
机译:通过用替代栅技术去除侧壁上的功函数金属制成的高k金属栅电极结构
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。