半导体衬底、制备技术及在先进三维电子封装中的应用

摘要

本发明提供了一种半导体衬底，包括器件层、位于器件层下方的绝缘层，还包括位于绝缘层下方的支撑衬底和位于支撑衬底中的连续绝缘埋层。本发明还提供了半导体衬底的制备方法以及利用此半导体衬底的先进三维电子封装方法。本发明的优点在于：可以降低被减薄的衬底的厚度，而且可以提高表面的平整度以及剩余硅层的均匀性。