P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn₂O₄透明导电薄膜；3)进行合金化热处理；在步骤1)之后，还可以再沉积一热稳定金属薄膜所构成的第二导电层。本发明的有益技术效果是：该方法解决了CdIn₂O₄透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。