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GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射(英文)

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研究了MOCVD生长的GaN及掺MgGaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺MgGaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和Mg的局域模.同时讨论了两个谱中E2和A1(LO)声子峰的频率和线形.在掺MgGaN样品中观察到应力松弛现象.

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来源
《半导体学报》 |2005年第4期|635-640|共6页
作者
王瑞敏; 陈光德; Lin J Y; Jang H X;
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作者单位

西安交通大学理学院;

Department of Physics;

Kansas State University;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
GaN; P型GaN; 喇曼散射; 缺陷模;

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