静态存储单元的形成方法及静态存储单元

摘要

本发明提供了一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元，首先单独对所述鳍部中的源极区域执行第一离子注入工艺，然后再对所述源极区域及漏极区域执行第二离子注入工艺，以形成源极和漏极，使所述源极的掺杂浓度较所述漏极的掺杂浓度大，后续对静态存储单元进行读写操作时，所述源极到所述漏极的电流与所述漏极到所述源极的电流是不相等的，即读取电流与写入电流不相等，进而降低了读/写裕量，提高了器件的可靠性和性能。