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罗贤亮; 董晨民; 王永顺;
兰州交通大学电子与信息工程学院;
双基区晶体管; 静态随机存储器; 负阻器件;
机译:基于Sub-1-V-60nm垂直体沟道MOSFET的六晶体管静态随机存取存储阵列,具有宽的噪声容限和出色的功率延迟乘积,并且通过静态随机存取存储单元的单元比对其进行了优化
机译:基于纳米级忆阻的非易失性静态随机存取存储器的设计与性能分析
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:基于7晶体管2 - 忆内磁阻的非易失性静态随机存取存储器单元设计
机译:基于自旋电子学的计算机系统存储器和逻辑单元电路设计
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:负阻特性负阻曲线示踪器的设计
机译:利用铁电晶体管的静态随机存取存储单元的I-V特性。
机译:基于准晶闸管的静态读/写随机存取存储器的准平面双栅鳍场效应晶体管制造方法
机译:利用准平面双栅鳍式场效应晶体管工艺制造基于晶闸管的静态读/写随机存取存储器的方法
机译:电路具有带存储单元的静态随机存取存储器存储元件和基于多栅场效应晶体管的交叉耦合反相器
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