一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法

摘要

本发明公开了一种化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片的方法，包括：将单质粉末源In、Ge、Te单质粉末按照预设比例均匀混合，在第一预设温度下烧结第一预设时间，制得InGeTe3粉末；选取第二石英管，在第一位置处形成缩颈部；将第一质量的InGeTe3粉末和第二质量的输运剂混合均匀后放入第二石英管底部；将衬底片放入第二石英管缩颈部和开口端部之间，对第二石英管进行真空封管；将第二石英管放入双温区管式炉内加热，冷却并取出，即在衬底上获得二维InGeTe3纳米片。本发明提供了一种化学工程简单、易于工业化生产、反应周期短、重复性好的化学气相传输制备二维InGeTe3纳米片及其异质结的方法。