具有横向延伸的栅极电介质的高电压场效应晶体管及其制造方法

摘要

在半导体衬底的上部部分中提供具有均匀深度的沟槽。形成连续介电材料层，该连续介电材料层包含填充沟槽的整个体积的栅极电介质。栅电极形成在栅极电介质之上，使得栅电极上覆盖于栅电极的中心部分并且不上覆盖于位于栅极电介质的中心部分的相对侧上栅极电介质的第一外围部分和第二外围部分。在形成介电栅极间隔体之后，通过掺杂半导体衬底的相应的部分在半导体衬底内形成源极延伸区域和漏极延伸区域。