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RDS(ON); 栅极电压; FDS6572A; FSD6574A; MOSFET器件;
机译:具有由反向偏置控制的可变阈值电压的低功率和低压MOSFET
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:20V和8V横向沟槽栅极功率MOSFET,具有记录低导通电阻
机译:具有低接触电阻和改进的栅极控制的晶片尺度制造和表征凹槽PTSE2 MOSFET
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译:镶嵌栅极工艺,用于制造具有最小多晶硅栅极损耗,硅化的源极和漏极结以及低薄层电阻栅极多晶硅的MOSFET器件
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