首页> 中国专利> 一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法

一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法,其中,所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜,其中,所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括:步骤1,选择衬底,并对衬底和靶材进行预处理;步骤2,在衬底上溅射第一层薄膜;步骤3,在第一层薄膜上溅射第二层薄膜,得到复合薄膜;步骤4,将得到的复合薄膜进行退火处理,制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单,易于实现,易于扩大生产,制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN109148571B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201811045596.1

  • 申请日2018-09-07

  • 分类号H01L29/51(20060101);H01L21/28(20060101);C23C14/34(20060101);

  • 代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘冬梅;范国锋

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:33:53

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号