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公开/公告号CN109148571B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201811045596.1
发明设计人 李栓;武燕庆;傅凯;田文怀;郑捷;李星国;
申请日2018-09-07
分类号H01L29/51(20060101);H01L21/28(20060101);C23C14/34(20060101);
代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘冬梅;范国锋
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:33:53
机译: 一种高通量高溶质截留薄膜复合反渗透膜的制备方法。
机译: 用于化学气相沉积的有机金属化合物,用于化学气相沉积的有机金属化合物的制备方法,新型金属薄膜和用于新型金属复合薄膜的化学气相沉积的方法
机译: 一种新型复合材料的制备方法得到了有效改进,并且所述新型复合材料
机译:在塑料基板上使用高k Mgo-ba_(0.6)sr_(0.4)tio_3复合栅介质的低压工作Lngazno_4薄膜晶体管
机译:用于有机-无机薄膜晶体管栅介质的高k有机-无机薄膜的制备研究
机译:用于完全透明的含水前体的高氟化聚酰亚胺栅电介质衍生的Zn氧化物薄膜晶体管
机译:在薄膜中氧气过量氧气的高k电介质薄膜和栅电极之间的界面完整性的劣化
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:具有增强的脱盐和抗菌特性的多功能石墨烯基薄膜纳米复合膜的新型制备方法
机译:一种新型多功能石墨烯薄膜纳米复合膜的制备方法,具有增强的脱盐和抗菌特性
机译:一种新型K波段可调谐微带带通滤波器,采用薄膜HTs /铁电/介质结构