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余涛; 陈静; 罗杰馨; 柴展; 伍青青; 吴雪梅;
中国电子学会;
金属-氧化物-半导体器件; 高k栅介质薄膜; 微结构; 电学性质;
机译:高k栅绝缘子用射频溅射HfTaO_x薄膜的结构和电学性能
机译:用于有机-无机薄膜晶体管栅介质的高k有机-无机薄膜的制备研究
机译:电子束蒸发制备HfSiO薄膜用于高k栅介质的研究
机译:铝薄膜氧化制备高A Al_2O_3栅介质的电导模型
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:倾斜角沉积法制备具有高吸收介质的超薄彩色薄膜
机译:原子层沉积法制备栅介质ZrO2 / al2O3双层薄膜的特性
机译:高电介质薄膜的电解制备季报,可能是4 - 8月。 1965年3月
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:用于在高k介电薄膜上沉积金属栅并改善高k介电膜与金属栅界面的基质处理系统
机译:高纯度钇制备高纯度钇溅射靶金属栅薄膜的高纯度钇工艺,所述高纯度钇溅射靶金属栅薄膜沉积有所述的金属栅膜,所述器件具有半导体元件和器件
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