公开/公告号CN107623030B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学深圳研究生院;
申请/专利号CN201710650735.2
申请日2017-08-02
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构44281 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司;
代理人郭燕
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区
入库时间 2022-08-23 11:17:06
机译: 高电子迁移率晶体管的表层晶圆的制造方法以及高电子迁移率晶体管的表层晶圆的制造方法
机译: 制造基于氮化物的高电子迁移率晶体管和基于氮化物的高电子迁移率晶体管的方法
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