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周书星; 方仁凤; 魏彦锋; 陈传亮; 曹文彧; 张欣; 艾立鹍; 李豫东; 郭旗;
湖北文理学院物理与电子工程学院;
低维光电材料与器件湖北省重点实验室;
襄阳441053;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
中国科学院新疆理化技术研究所;
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;
乌鲁木齐830011;
磷化铟高电子迁移率晶体管; 二维电子气; 电子束辐照; 辐射加固;
机译:降低栅极 - 源间距对磷化铟高电子迁移率晶体管性能的影响
机译:磷化铟衬底上超短伪晶高电子迁移率晶体管的现实模拟的边界条件
机译:InAlN / AlN / InGaN / GaN高电子迁移率晶体管的外延设计和2DEG迁移率估算
机译:用于太赫兹单片微波集成电路和系统的50nm以下磷化铟高电子迁移率晶体管技术
机译:基于磷化铟的复合通道高电子迁移率晶体管结构的固体源分子束外延,用于微波和毫米波功率应用。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:铟磷化物高电子迁移率晶体管上的氢降解
机译:InGaas / Inalas高电子迁移率晶体管有源沟道中过量铟的后果对器件特性的影响
机译:用于GaN基高电子迁移率晶体管的外延多层结构和包含该结构的晶体管
机译:利用形成用于形成异质结双极晶体管的材料的抱怨衬底的结构和方法来制造异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管
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