National University of Singapore (Singapore).;
机译:p-GaN栅极结构和制造工艺对常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
机译:常关型p-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅二极管退化的研究
机译:用于常关操作的Zincblende Algan / GaN高电子迁移率晶体管的模拟
机译:性能改进的常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在凹入的栅极下方具有设计的p-GaN区域
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:温度稳定性研究的Algan / GAN常关型高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管断态退化过程中温度影响的研究