退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110491826B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201910703731.5
发明设计人 代京京;王智勇;兰天;
申请日2019-07-31
分类号H01L21/762(20060101);H01L21/78(20060101);
代理机构11335 北京汇信合知识产权代理有限公司;
代理人周文
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 11:15:34
机译: 包含氧化物单晶薄膜的复合晶圆的制造方法
机译:智能社会社会必需SiC碳化硅装置:单晶,晶圆,EPI-EJA制造需求增长预期氩气,氢气,硅烷,丙烷SiC eveTXIAL晶圆制备技术开发昭和电气
机译:使用晶圆键合将单晶硅层转移到柔性基板上
机译:300毫米晶圆晶圆中的单晶圆技术
机译:构建3D集成电路的块:非晶基质的单晶化合物半导体生长和器件制造
机译:晶圆级层控制的有机单晶用于高速电路操作
机译:具有工业156mm Cz单晶硅薄晶圆的21%高效n型后结PERT太阳能电池
机译:一种采用晶圆传输技术制造的压电单晶片可变形镜