P沟道电荷捕捉存储元件及其编程与擦除方法

摘要

本发明是关于一种p沟道电荷捕捉存储元件的编程与擦除方法，其中存储元件包括一n型基底与形成于其上的数个存储单元，每一存储单元对应一字线、一第一位线与一第二位线，且存储单元包含用来各储存一个位信息的第一位部位与第二位部位。这种方法包括由供应一第一负偏压至一被选存储单元的字线与供应一接地偏压至第一与第二位线来重设被选存储单元，以及由供应一第一正偏压至被选存储单元的字线、供应一第二负偏压至被选存储单元的第一位线及供应一接地偏压至被选存储单元的第二位线来编程被选存储单元的第一位部位。