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浮栅; 非易失存储器; 低温数据保持; 编程/擦除循环加速统计模型; 电荷漏电流; 可靠性;
机译:利用阱偏置增强非易失性浮栅存储器编程
机译:氮掺入$ hbox {AgInSbTe-SiO} _ {2} $纳米复合薄膜在非易失性浮栅存储器中的作用
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:浮栅非易失性存储器中低温数据保留的程序/擦除循环加速的统计模型
机译:气溶胶硅纳米颗粒非易失性浮栅存储器件的合成与表征。
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:气溶胶硅纳米晶非易失性浮栅存储器件的合成与表征
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。
机译:使用EEPROM单元结构作为可擦除和可编程半导体存储器的非易失性半导体存储器和浮栅晶体管编程方法
机译:监视数据处理系统中的非易失性电可擦除闪存EPROM存储器-监视编程和擦除的周期数,存储在存储器中并与最大值进行比较允许或检查剩余循环数
机译:用于使用非易失性浮栅存储单元模拟电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的方法和设备
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