机译:具有SiGe埋入沟道的电荷陷阱闪存器件的编程和擦除速度的提高
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC;
flash memory; charge-trapping; SiGe buried channel; out-diffusion;
机译:具有SiGe埋入通道的P沟道电荷陷阱闪存设备的增强的编程和擦除速度
机译:具有Ge通道的电荷陷阱闪存设备的增强的编程和擦除速度
机译:具有SiGe和GE埋入通道的多Si纳米线电荷捕获闪存装置的操作特性
机译:具有SiGe埋入沟道的电荷陷阱闪存器件的编程和擦除速度的提高
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:联合源/通道方法可增强嵌入式可编程设备以防止闪存错误
机译:摩托罗拉mC68040采用altera Epm5000可擦写可编程逻辑器件进行高速设计