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电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用

摘要

本发明公开了一种电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用,所述电介质纳米砖阵列结构,包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列;其中,电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成;电介质纳米砖为正四棱柱形,其底面为正方形,且其长宽高均为亚波长尺寸。将该电介质纳米砖阵列结构用作高反膜时,优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数,使得工作波长下s波和p波入射时均能产生Mie谐振;将该电介质纳米砖阵列结构用作高透膜时,优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数,使得混合层的等效折射率介于混合层周围介质的折射率和衬底折射率之间。本发明基于电介质纳米砖阵列结构的高反膜和高透膜在整个通信波段内均具有较高的工作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN107664780B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN201710942306.2

  • 申请日2017-10-11

  • 分类号G02B1/00(20060101);G02B1/10(20150101);G02B1/118(20150101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张火春

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    授权

    授权

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B1/00 申请日:20171011

    实质审查的生效

  • 2018-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/00 申请日:20171011

    实质审查的生效

  • 2018-02-06

    公开

    公开

  • 2018-02-06

    公开

    公开

  • 2018-02-06

    公开

    公开

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