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局部改变晶体材料的电子和光电性能的方法以及由这种材料制造的器件

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通过包括由P型层(11)和N型层(12)形成的结(10)的辐射发射光电半导体器件说明一种由晶体材料制造的电子或光电器件，其中所述晶体材料的带隙特性参数通过在所述晶体材料晶格结构中原子尺度上引入形变而局部改变，而且所述器件的电子和/或光电参数取决于所述带隙的改变，其中P型层(11)和N型层(12)都由间接带隙半导体材料形成。P型层(11)包含位错环阵列，位错环产生了应变场以空间限定并促进电荷载流子的辐射复合。

著录项

公开/公告号CN1310344C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-04-11

原文格式PDF
申请/专利权人萨里大学;
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申请/专利号CN01810760.5
发明设计人 K·P·霍梅伍德;R·M·格威廉;G·邵;
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申请日2001-06-07
分类号H01L33/00(20060101);H01S5/30(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人吴立明;梁永
地址英国萨里郡
入库时间 2022-08-23 08:59:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20070411 终止日期:20160607 申请日:20010607

专利权的终止
2007-04-11

授权

授权
2007-04-11

授权

授权
2003-10-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-10-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-07-30

公开

公开
2003-07-30

公开

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