ITO溅射靶及其制造方法和ITO透明导电膜及ITO透明导电膜的制造方法

摘要

本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。