首页> 中国专利> 设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法

设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法

摘要

一种设计图形的制作方法,该方法具备如下的工序:准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序;求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序;根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量,求上述第1孔图形的扩大量的工序;制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN1322546C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN200410070564.9

  • 发明设计人 宫崎真纪;三本木省次;

    申请日2004-08-06

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人李峥

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20070620 终止日期:20130806 申请日:20040806

    专利权的终止

  • 2007-06-20

    授权

    授权

  • 2005-04-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-16

    公开

    公开

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