首页> 中国专利> 光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺,半导体器件及其制造工艺

光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺,半导体器件及其制造工艺

摘要

本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等,此光刻胶图案增厚材料可以增厚光刻胶图案并形成精细的中空图案。所述的光刻胶图案增厚材料包含:树脂;交联剂;和选自阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种,其中非离子表面活性剂选自烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中,在形成光刻胶图案后,将增厚材料施加到图案的表面。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括:在下层上形成光刻胶图案后,将增厚材料施加到图案的表面以增厚图案;以及通过利用图案刻蚀对下层制图的步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1282902C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN03150307.1

  • 发明设计人 野崎耕司;小泽美和;

    申请日2003-07-24

  • 分类号G03F7/038(20060101);G03F7/16(20060101);H01L21/027(20060101);H01L21/306(20060101);

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人杜娟

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/038 授权公告日:20061101 终止日期:20180724 申请日:20030724

    专利权的终止

  • 2006-11-01

    授权

    授权

  • 2006-11-01

    授权

    授权

  • 2004-06-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-04-21

    公开

    公开

  • 2004-04-21

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号