对于深次0.18微米闪存的源极侧硼注入及漏极侧MDD注入

摘要

本发明涉及一种制造闪存单元(32)的方法，包括下列步骤：提供一个在其上有闪存单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上生长一个自对准源极掩模(48)，该自对准源极掩模(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；经由自对准源极掩模(48)上与源极线相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自对准源极掩模(48)；在基底(30)上生长一层MDD掩模(54)，该MDD掩模(54)会覆盖在源极线(52)上，而且有对应至漏极线的开口(56)；以及注入第二类中等剂量漏极注入子，而在毗邻闪存单元(32)的基底(30)内，形成漏极区域(58)。