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潘立阳; 朱钧; 刘楷; 刘志宏; 曾莹;
清华大学微电子学研究所;
热电子注入编程; 快闪存贮器; 带带隧穿; 分裂位线NOR; 源极增强; 位线串扰;
机译:二维分析的源侧注入SST超快闪分裂栅单元编程的解析模型
机译:带间隧道隧穿诱导衬底热电子注入(BBISHE)以执行对NOR闪存的编程
机译:具有肖特基隧穿漏极和欧姆隧穿源的新型石墨烯纳米带场效应晶体管
机译:带间隧穿诱导衬底热电子(BBISHE)注入:非易失性存储器件的新编程机制
机译:采用热电子注入和Fowler Nordheim隧穿的两晶体管可电气更改的开关
机译:半导体器件,即用作开关的功率晶体管,具有浮栅,以基于栅的编程或擦除状态以及隧穿栅编程和/或擦除浮栅来控制电流在源极和漏极区域之间的流动。
机译:通过带间隧道隧穿的衬底热电子编程并通过栅感应的漏极泄漏电流读取的etox单元的闪存的形成方法
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