公开/公告号CN215494226U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 讯达康通讯设备(惠州)有限公司;
申请/专利号CN202120559607.9
申请日2021-03-18
分类号G02B6/293(20060101);G02B6/32(20060101);G02B6/42(20060101);H04B10/071(20130101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人单天禹
地址 516025 广东省惠州市惠澳大道惠南高新科技产业园惠泰路6号
入库时间 2022-08-23 03:46:33
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种半导体集成电路器件,其配备有宏单元布局区域,例如门阵列或嵌入式单元阵列(嵌入式单元阵列eca),并且单个时钟包括在集成电路器件驱动器电路中
机译: 一种集成电路器件结构进行纳米探测的方法(集成电路器件结构的纳米探测)