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公开/公告号CN215364898U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南天羿领航科技有限公司;
申请/专利号CN202121621591.6
发明设计人 虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健;
申请日2021-07-16
分类号B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人谭武艺
地址 410100 湖南省长沙市长沙县经开区泉塘街道映霞路29号
入库时间 2022-08-23 02:38:14
机译: 多自由度MEMS传感器芯片及其制造方法
机译:开发基于金刚石的MEMS传感器芯片
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机译:多孔Al2O3修饰Si表面MEMS传感器芯片的制备与SEM分析。
机译:RIT的MEMS多传感器芯片的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。
机译:关于低成本MEMS传感器,绞线惯性导航和动态定位非线性估计技术的用途
机译:分子印迹聚合物(mIp) - 用于化学检测的微束mEms传感器。