公开/公告号CN214705936U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳天狼芯半导体有限公司;
申请/专利号CN202120908459.7
发明设计人 蔡政原;
申请日2021-04-28
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;
代理人阳方玉
地址 518000 广东省深圳市福田区车公庙金润大厦18E
入库时间 2022-08-23 01:49:46
机译: 具有增强模式组III-N高电子迁移率晶体管的半导体结构和耗尽模式III-N高电子迁移率晶体管
机译: 半导体结构具有增强模式III-N高电子迁移率晶体管和耗尽模式III-N高电子迁移率晶体管
机译: 具有增强模式组III-N高电子迁移率晶体管和耗尽模式组III-N高电子迁移率晶体管的半导体结构