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同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉

摘要

本发明公开了同步辐射微束X射线衍射(μ-XRD)技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法,本方法基于同步辐射μ-XRD技术,分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域(晶体、边界层、熔体)的微观结构,从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律;本发明还提供了同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长的微型晶体生长炉,通过该微型晶体生长炉,能在晶体生长时对晶体、边界层和熔体微观结构进行原位实时观测。

著录项

  • 公开/公告号CN104534879B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;

    申请/专利号CN201510017769.9

  • 申请日2015-01-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 230088 安徽省合肥市蜀山湖路350号中国科学院合肥物质科学研究院

  • 入库时间 2022-08-23 09:41:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-08

    授权

    授权

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):F27B 17/02 申请日:20150114

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    公开

    公开

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