法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/67 授权公告日:20180615 终止日期:20181114 申请日:20171114
专利权的终止
2018-06-15
授权
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种具有改进的隔离结构的半导体集成电路器件的制造方法
机译: 一种具有改进的隔离结构的半导体集成电路器件的制造方法