公开/公告号CN207353239U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市锐骏半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201721232461.7
发明设计人 黄泽军;
申请日2017-09-22
分类号
代理机构深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人胡慧
地址 518000 广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼
入库时间 2022-08-22 04:57:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-11
授权
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种具有改进的隔离结构的半导体集成电路器件的制造方法
机译: 一种具有改进的隔离结构的半导体集成电路器件的制造方法