一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管

摘要

本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管，包括栅电极、氮氧化铪绝缘层、并五苯沟道层、源电极和漏电极，所述栅电极上设置有氮氧化铪绝缘层，氮氧化铪绝缘层上设置有并五苯沟道层，并五苯沟道层上设置有源电极和漏电极。本实用新型器件尺寸小、全室温制备、器件功耗低、亚阈值电压摆幅小和开关电流比大。