机译:改性的氢化聚硅氧氮烷,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组成相同的成分,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的成分的制备方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制备二氧化硅的层的方法
公开/公告号WO2014104510A1
专利类型
公开/公告日2014-07-03
原文格式PDF
申请/专利权人 CHEIL INDUSTRIES INC.;
申请/专利号WO2013KR06291
发明设计人 SONG HYUN-JI;BAE JIN-HEE;SEO JIN-WOO;YUN HUI-CHAN;LEE HAN-SONG;JEON JONG-DAE;HAN KWEN-WOO;HONG SEUNG-HEE;HWANG BYEONG-GYU;PARK EUN-SU;LIM SANG-HAK;KWAK TAEK-SOO;KIM GO-UN;KIM MI-YOUNG;KIM BO-SUN;KIM BONG-HWAN;NA YOONG-HEE;
申请日2013-07-15
分类号C08G77/38;C08G77/26;C08L83/08;H01B3/46;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 15:48:41