退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN103673866B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN201310682762.X
发明设计人 林兆军;赵景涛;栾崇彪;吕元杰;杨铭;周阳;杨琪浩;
申请日2013-12-13
分类号
代理机构济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人许德山
地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2022-08-23 09:36:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-09
授权
2014-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B7/16 申请日:20131213
实质审查的生效
2014-03-26
公开
机译: 具有在n-InP供体层上形成的InAlAs肖特基势垒层的异质结场效应晶体管
机译: 基于gan层和氮化物的异质结场效应晶体管的制造方法
机译: 具有p型应变InGaN基极层的GaN异质结双极晶体管
机译:确定AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极下方AlGaN势垒层应变的方法
机译:具有薄AIN势垒层的常关GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管的退火后效应研究
机译:具有部分背势垒层的高击穿电压GaN绝缘体上异质结场效应晶体管
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:GaN基异质结场效应晶体管的直流,微波和噪声特性及其可靠性问题。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:具有三元和四元InAl(Ga)N势垒层的GaN基异质结构场效应晶体管
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义