一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，结构自下而上包括：半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述AlGaN势垒层的上表面的两侧分别设有源电极和漏电极、源电极和漏电极之间且靠近源电极处设有栅电极，在栅电极的源侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅源势垒层区域，在栅电极的漏侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅漏势垒层区域。本发明的有益之处在于：(1)跨导饱和区扩展；(2)击穿电压提高；(3)频率特性改善；(4)微波输出特性增强。