法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
授权
授权
2014-01-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20130821
实质审查的生效
2013-12-25
公开
公开
机译: 半导体器件中栅极介电层陷阱时间常数的提取方法
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 一种制造半导体器件的晶体管以减小栅氧化层的电厚度并减小栅绝缘层漏电流的方法