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何进; 张兴; 黄如; 王阳元;
北京大学微电子研究所;
SOI技术; MOS器件; 界面陷阱分布; 热载流子效应; 复合栅控二极管技术; 横向分布;
机译:一种新颖的实验技术:组合栅二极管法提取SOI NMOSFET中界面陷阱的横向分布
机译:正向栅控二极管法直接测量numosfet / soi中应力引起的界面陷阱
机译:SOI NMOSFET中分离前沟道热载流子应力引起的前,后栅极界面和氧化物陷阱的精制正向栅极二极管方法
机译:栅二极管法在0.135 / spl mu / m n-MOSFET中热载流子诱导的界面陷阱空间分布的新观察
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
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