法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-08-12
专利实施许可合同的备案 合同备案号:2009320000959 让与人:浙江大学 受让人:镇江大成硅科技有限公司 发明名称:氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法 授权公告日:20050223 许可种类:独占许可 备案日期:2009.5.20 合同履行期限:2009.5.18至2014.4.1合同变更 申请日:20021202
专利实施许可合同的备案
2005-02-23
授权
授权
2003-08-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-06-11
公开
公开
机译: 直拉法测定硅单晶中氮浓度的方法
机译: 用于生产氮掺杂的硅单晶锭的氮掺杂方法,硅单晶生长器和氮添加剂
机译: 用于制造氮掺杂的硅单晶锭硅单晶生长器和氮添加剂的氮掺杂方法