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李立本; 张锦心; 陈修治; 阙端麟;
浙江大学材料科学与工程学系;
功率晶体管; 氮; 硅单晶; 生长;
机译:退火对无坩埚区熔化生长的氮掺杂硅单晶电性能的影响
机译:Czochralski方法生长的无位错硅单晶中生长和生长的微缺陷形成的理论和实验研究
机译:基于N {sub} 2的烧结碳钢构件的气氛:为了帮助零件制造商有效地提高质量和一致性,一项研究比较了基于氮和吸热气氛的烧结碳钢构件的研究
机译:氮掺杂硅单晶缺陷抑制机理的研究
机译:保护性农业:对土壤一氧化二氮排放和农民采用的影响。
机译:从硅单晶到多孔材料和量子点的太阳能电池研究进展
机译:Brachiaria brizantha cv。的干物质产量,叶/茎比和一些生长速率。采用氮钾配比栽培的Xaraés干物质产量,叶/茎比和栅栏草(Brachiaria brizanthacv.Xaraés)的生长指数,用不同氮钾比率组合栽培
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:用于生产氮掺杂的硅单晶锭的氮掺杂方法,硅单晶生长器和氮添加剂
机译:用于制造氮掺杂的硅单晶锭硅单晶生长器和氮添加剂的氮掺杂方法
机译:用于冷却硅单晶硅锭的水冷管,该硅单晶硅锭可改善每小时的硅锭生长速度,以及包括该硅单晶硅锭的硅单晶生长装置
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