掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献代查
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Microscopy of semiconducting materials 1991
Microscopy of semiconducting materials 1991
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
现代电视技术
电子器件
信息网络
中国数字电视
通信管理与技术
音响技术
北京电子
激光与红外
视听纵横
电子科技
更多>>
相关外文期刊
Wireless Data News
電子情報通信学会論文誌
Journal of the Institution of Engineers (India)
PTT Technische Mitteilungen
Cable TV Investor
International journal of autonomous and adaptive communications systems
Semiconductor photonics and technology
Telecommunications Americas
Asia Pacific Telecommunications Insight
Printed Circuit Design
更多>>
相关中文会议
2006年中国国际广播电视信息网络展览会CCBN2006
2008中国通信电源、局站环境标准宣讲与新技术论坛
2009中日电子电路秋季大会暨秋季国际PCB技术/信息论坛
中国密码学会2013年密码芯片学术会议
第十三届全国红外科学技术交流会
2007年印制电路技术交流会
中国通信学会第五届学术年会
2003年中国国际广播电视信息网络技术交流会
2006便携式消费电子产品专题研讨会
中国电子学会第四届青年学术年会
更多>>
相关外文会议
Fourth International Conference on Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (ICSC - 2001) Vol.3; Sep 24-28, 2001; Obninsk, Russia
Intense Microwave and Particle Beams II
European Microwave Conference vol.3; 20041011-14; Amsterdam(NL)
2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices
2014 20th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications
5th ACM International Workshop on Modeling, Analysis and Simulation of Wireless and Mobile Systems, Sep 28, 2002, Atlanta, Georgia, USA
Advances in Mirror Technology for Synchrotron X-Ray and Laser Applications
Communications and multimedia security
Synthesis and photonics of nanoscale materials XII
Asia-Pacific Area Joint Meeting on Picture Coding and Communication
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Scanning tunneling optical spectroscopy of In AsP/InP quantum well structures
机译:
In AsP / InP量子阱结构的扫描隧道光谱
作者:
L Q Qian
;
B W Wessels
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
2.
Structural analysis of Ⅲ-Ⅴ superlattice structures by combined TEM and XRD observations
机译:
结合TEM和XRD观察分析Ⅲ-Ⅴ超晶格结构
作者:
M J Yates
;
M A G Halliwell
;
S J Amin
;
M R Taylor
;
M R Aylett
;
S D Perrin
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
3.
Electron beam radiation effects on the properties of unpassivated GaAs-MESFET
机译:
电子束辐射对未钝化GaAs-MESFET性能的影响
作者:
K Kaufmann
;
P Koschinski
;
L J Balk
;
E. Kubalek
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
4.
Observation of point defects and dislocations on GaAs{110} by scanning tunneling microscopy
机译:
通过扫描隧道显微镜观察GaAs {110}上的点缺陷和位错
作者:
G Cox
;
Ph Ebert
;
K Urban
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
5.
Microdefects in Si-doped HB GaAs crystals investigated by TEM, DSL photoetching and laser scattering tomography
机译:
TEM,DSL光刻和激光散射层析成像技术研究了Si掺杂的HB GaAs晶体中的微缺陷
作者:
C Frigeri
;
J L Weyher
;
P Gall
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
6.
Convergent beam and selected area electron diffraction analysis of the structure of In_2Se_3 crystals
机译:
In_2Se_3晶体结构的会聚束和选择区电子衍射分析
作者:
C De Blasi
;
D Manno
;
G Micocci
;
A Tepore
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
7.
A TEM study of inclusions and domains in CuInSe_2 crystals grown by the vertical Bridgman technique
机译:
垂直布里奇曼技术生长的CuInSe_2晶体中夹杂物和畴的TEM研究
作者:
S M Casey
;
C A Mullan
;
C J Kiely
;
R C Pond
;
R D Tomlinson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
8.
Defect agglomeration and annealing in ZnTe during Ar~+ -ion and electron irradiation
机译:
Ar〜+离子和电子辐照过程中ZnTe的缺陷团聚和退火
作者:
G Lu
;
F Phillipp
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
9.
TEM investigations of LP-MOVPE grown GaAs/Ge heterostructures
机译:
LP-MOVPE生长的GaAs / Ge异质结构的TEM研究
作者:
P Franzosi
;
L Lazzarini
;
G Salviati
;
M Scaffardi
;
G Timo
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
10.
Substrate effects on the ordering and microstructure of epitaxial layers
机译:
衬底对外延层有序性和微观结构的影响
作者:
Jean-Pierre Chevalier
;
Richard Portier
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
11.
Structural characterisation of Nb-doped lead zirconate titanate ferroelectric thin films
机译:
掺铌铌酸锆钛酸铅铁电薄膜的结构表征
作者:
Louise Weaver
;
Lynnette D Madsen
;
Ellen M Griswold
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
12.
The structural morphology of SiGe alloy layers grown on Si by low pressure chemical vapour deposition
机译:
低压化学气相沉积法在Si上生长的SiGe合金层的结构形态
作者:
A G Cullis
;
D J Robbins
;
A J Pidduck
;
P W Smith
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
13.
Cathodoluminescence characterisation of GaInAs/InP quantum-well wire structures
机译:
GaInAs / InP量子阱线结构的阴极发光特性
作者:
S Nilsson
;
A Gustafsson
;
L Montelius
;
A Semu
;
K Georgsson
;
L Samuelson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
14.
Cathodoluminescence study of oval defects on QW structures
机译:
QW结构上椭圆形缺陷的阴极发光研究
作者:
D Araujo
;
J -D Ganiere
;
R Houdre
;
F K Reinhart
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
15.
EBIC contrast simulation for characterising doped microstructures
机译:
EBIC对比模拟,用于表征掺杂的微结构
作者:
U Werner
;
H Blumtritt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
16.
EBIC contrast injection level dependence of dislocations in silicon
机译:
EBIC对比注入中硅位错的水平依赖性
作者:
C E Norman
;
D B Holt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
17.
Investigations of hillocks in strained GaAs_xP_(1-x)
机译:
GaAs_xP_(1-x)应变下的小丘研究
作者:
A Gustafsson
;
L Samuelson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
18.
TEM investigations of defects in undoped semi-insulating GaAs crystals
机译:
非掺杂半绝缘GaAs晶体中缺陷的TEM研究
作者:
P Schlossmacher
;
H Ruefer
;
K Urban
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
19.
HREM of TiSi_2/Si and TiSi_2/SiO_2 interfaces
机译:
TC_2 / C和TC_2 / CO_2接口的后宫
作者:
A L Vasiliev
;
N A Kiselev
;
O I Lebedev
;
E V Orlova
;
A G Vasiliev
;
A A Orlikovsky
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
20.
TEM study of sputter deposited titanium films on silicon and the silicidation reaction during rapid thermal processing
机译:
快速热处理过程中硅上溅射沉积钛膜的TEM研究及硅化反应
作者:
A De Veirman
;
R Hokke
;
E Swart
;
R Wolters
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
21.
TEM study of ultrathin buried cobalt silicide layers formed by ion beam synthesis
机译:
离子束合成形成的超薄埋硅化钴层的TEM研究
作者:
J Vanhellemont
;
K Maex
;
M F Wu
;
A Romano-Rodriguez
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
22.
Analysis of Bicrystallographic variants, domains and defects in the CoSi/Si(111) interface
机译:
分析CoSi / Si(111)界面中的双晶变体,畴和缺陷
作者:
A C Daykin
;
C J Kiely
;
R C Pond
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
23.
The influence of interfaces in X-ray thickness measurements of hetero- epitaxial layers
机译:
界面对异质外延层X射线厚度测量的影响
作者:
Shara Amin
;
Mary Halliwell
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
24.
Strain characterisation in Si/SiGe superlattices by convergent beam electron diffraction
机译:
Si / SiGe超晶格的会聚电子衍射表征
作者:
R Touaitia
;
D Cherns
;
C J Rossouw
;
D C Houghton
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
25.
Electron scattering contrast mechanisms of doped semiconductor layers
机译:
掺杂半导体层的电子散射对比机理
作者:
D D Perovict
;
G C Weatherly
;
J H Paterson
;
C J Rossouw
;
T E Jackman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
26.
TEM/etching studies of fabrication-induced defects in 4M DRAMs
机译:
TEM /蚀刻研究4M DRAM中制造引起的缺陷
作者:
M Dellith
;
F Gelsdorf
;
G R Booker
;
W Bergholz
;
B O Kolbesen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
27.
TEM study of GaAs films grown on GaAs substrates by the close-spaced vapor transport technique
机译:
通过近距离气相传输技术在GaAs衬底上生长的GaAs膜的TEM研究
作者:
N Guelton
;
RG Saint-Jacques
;
D Cossement
;
G Lalande
;
JP Dodelet
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
28.
Equilibrium defect structure of annealed Ⅱ-Ⅵ/GaAs interfaces
机译:
退火的Ⅱ-Ⅵ/ GaAs界面的平衡缺陷结构
作者:
A Schwartzman
;
R Sinclair
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
29.
Interfacial dislocation arrays for on- and off-axis epitaxy of InGaAs on GaAs
机译:
GaAs上InGaAs轴外延的界面位错阵列
作者:
Philip Kightley
;
Peter J Goodhew
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
30.
TEM studies of buried heterostructure laser diodes before and after overstress testing
机译:
埋入异质结构激光二极管过应力测试前后的TEM研究
作者:
U Bangert
;
A T R Briggs
;
A R Goodwin
;
P Charsley
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
31.
Qualitative and quantitative analysis of the GaAs/AlAs interface by high-resolution electron microscopy
机译:
GaAs / AlAs界面的高分辨率电子显微镜定性和定量分析
作者:
S Thoma
;
H Cerva
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
32.
Analysis of diffuse and abrupt HgTe/CdTe interfaces under chemically sensitive imaging conditions
机译:
化学敏感成像条件下扩散和突变HgTe / CdTe界面的分析
作者:
R E Mallard
;
G Feuillet
;
N Magnea
;
H Mariette
;
E Ligeon
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
33.
The use of the Fresnel Method for the measurement of the compositional profile of the interfaces of isolated sub-unit-cell-thick layers of Si in Ge
机译:
菲涅耳法用于测量锗中硅的分离的亚单位细胞厚层的界面的成分分布
作者:
R E Dunin-Borkowski
;
W C Shih
;
W M Stobbs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
34.
Elemental mapping in AlGaAs/GaAs heterostructures using parallel EELS
机译:
使用并行EELS的AlGaAs / GaAs异质结构中的元素映射
作者:
H Lakner
;
M Maywald
;
L J Balk
;
E Kubalek
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
35.
Scanning tunneling and atomic force microscopy imaging of VLSI Si test structures
机译:
VLSI Si测试结构的扫描隧道和原子力显微镜成像
作者:
U Memmert
;
H E Hessel
;
J Wiechers
;
R Houbertz
;
A Feltz
;
H Cerva
;
R J Behm
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
36.
Scanning ion microscopy investigation of semiconductor devices
机译:
半导体器件的扫描离子显微镜研究
作者:
JP Gonchond
;
G Mascarin
;
E Jourde
;
R Pantel
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
37.
The measurement of the rigid body translation across the {111} APB facet in GaAs
机译:
GaAs中{111} APB小平面上刚体平移的测量
作者:
Stuart McKernan
;
D Rene Rasmussen
;
C Barry Carter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
38.
The role of dislocations in the 3C < - > 6H SiC polytypic transformation
机译:
位错在3C <-> 6H SiC多型转变中的作用
作者:
P Pirouz
;
J W Yang
;
J A Powell
;
F Ernst
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
39.
STEM EDS X-ray mapping, TEM and HREM studies of the effect of gas switching procedures on the chemical abruptness of interfaces in MOCVD GaInAs/InP MQW structures
机译:
STEM EDS X射线映射,TEM和HREM研究气体切换程序对MOCVD GaInAs / InP MQW结构中界面化学突变的影响
作者:
N J Long
;
A G Norman
;
A K Petford-Long
;
B R Butler
;
C G Cureton
;
G R Booker
;
E J Thrush
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
40.
The indentation of GaAlAs and GaInAs at room temperature
机译:
室温下GaAlAs和GaInAs的压痕
作者:
R Haswell
;
P Charsley
;
U Bangert
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
41.
The pinning effect of phosphorus on dislocation cores in silicon
机译:
磷对硅中位错核的钉扎效应
作者:
M Heggie
;
R Jones
;
A Umerski
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
42.
The structure of twist units in a Ge ∑ = 27 <110> tilt grain boundary
机译:
Ge ∑ = 27 <110>倾斜晶界中扭曲单元的结构
作者:
Stuart McKernan
;
Zvi Elgat
;
C Barry Carter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
43.
Influence of residual defects on impurity diffusion in preimplanted Si
机译:
残余缺陷对预注入硅中杂质扩散的影响
作者:
Y Kikuchi
;
M Kase
;
M Kimura
;
M Yoshida
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
44.
Modelling and measurement of dislocation loop shrinkage in germanium pre-amorphised silicon during subsequent rapid thermal annealing
机译:
随后快速热退火中锗预非晶硅中位错环收缩的建模和测量
作者:
C D Meekison
;
C Hill
;
C D Marsh
;
D P Gold
;
D R Boys
;
G R Booker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
45.
Optical microscopy of silicon wafer surfaces with subnanometre vertical sensitivity
机译:
亚微米垂直灵敏度的硅晶片表面的光学显微镜
作者:
A J Pidduck
;
V Nayar
;
A M Keir
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
46.
A TEM study of CdTe/ZnTe single quantum well structures grown on GaAs substrates by hot wall epitaxy
机译:
热壁外延在GaAs衬底上生长的CdTe / ZnTe单量子阱结构的TEM研究
作者:
A Hobbs
;
O Ueda
;
I Sugiyama
;
K Shinohara
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
47.
TEM studies of Cd:Zn:S-based superlattices and epitaxial layers
机译:
基于Cd:Zn:S的超晶格和外延层的TEM研究
作者:
P D Brown
;
Y Y Loginov
;
J T Mullins
;
T Taguchi
;
K Durose
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
48.
Characterisation of GaAs/AlAs quantum well structures by HREM and LTSCL
机译:
HREM和LTSCL表征GaAs / AlAs量子阱结构
作者:
D B Holt
;
C E Norman
;
G Salviati
;
S Franchi
;
A Bosacchi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
49.
Low temperature cathodoluminescence studies of GaAs/AlGaAs quantum dot structures
机译:
GaAs / AlGaAs量子点结构的低温阴极发光研究
作者:
G M Williams
;
A G Cullis
;
C M Sotomayor Torres
;
S Thorns
;
S P Beaumont
;
C R Stanley
;
D Lootens
;
P Van Daele
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
50.
X-ray diffraction and SEM investigation of the crystal quality of GaAs/Ge heterostructures
机译:
GaAs / Ge异质结构的X射线衍射和SEM研究
作者:
C Bocchi
;
B Bollani
;
P Franzosi
;
L Lazzarini
;
D Passoni
;
G Timd
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
51.
HREM investigation of MBE-grown single and multilayer heterostructures on (100)-GaAs substrates
机译:
(100)-GaAs衬底上MBE生长的单层和多层异质结构的HREM研究
作者:
M Hohenstein
;
F Phillipp
;
O Brandt
;
L Tapfer
;
K Ploog
会议名称:
《》
|
1991年
52.
HREM investigation of epitaxial layer and interface structure in the CaF_2/Si heterosystem
机译:
CaF_2 / Si异质体系中外延层和界面结构的HREM研究
作者:
V Yu Karasev
;
A N Kiselev
;
E V Orlova
;
S M Pintus
;
A A Velitchko
;
O A Zalabasov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
53.
Theory of RHEED intensity oscillations in MBE
机译:
MBE中的RHEED强度振荡理论
作者:
L -M Peng
;
M J Wheian
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
54.
Dislocation dipoles in strained InGaAs layers grown on GaAs
机译:
在GaAs上生长的应变InGaAs层中的位错偶极子
作者:
P Kightley
;
G Aragon-Herranz
;
P J Goodhew
;
R C Pond
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
55.
An analysis of a misfit dislocation array
机译:
错位错位阵列的分析
作者:
R Beanland
;
P Kightley
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
56.
Composition automodulation of semiconductor epitaxial films on the basis of A_3B_5 solutions
机译:
基于A_3B_5溶液的半导体外延膜的成分自动调制
作者:
S K Maksimov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
57.
Microstructural and electrical properties of single crystal ZnTe/CdTe/CdS p-i-n solar cells and related materials
机译:
单晶ZnTe / CdTe / CdS p-i-n太阳能电池及相关材料的微结构和电性能
作者:
K Durose
;
P D Brown
;
M Y Simmons
;
H M Al-Allak
;
A W Brinkman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
58.
Strain release in GaAs/Ga_(1-x)In_xAs strained layer superlattices grown on (112) substrates
机译:
在(112)衬底上生长的GaAs / Ga_(1-x)In_xAs应变层超晶格中的应变释放
作者:
T E Mitchell
;
O Unal
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
59.
Liquefaction and solidification of laser pulsed alloy films
机译:
激光脉冲合金膜的液化和凝固
作者:
O Bostanjoglo
;
P Thomsen-Schmidt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
60.
Effects of annealing on phase separated microstructures in InGaAsP epitaxial layers
机译:
退火对InGaAsP外延层中相分离组织的影响
作者:
TL McDevitt
;
S Mahajan
;
DE Laughlin
;
WA Bonner
;
VG Keramidas
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
意见反馈
回到顶部
回到首页