法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-14
授权
授权
2014-02-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/06 变更前: 变更后: 登记生效日:20140109 申请日:20111221
专利申请权、专利权的转移
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20111221
实质审查的生效
2013-06-26
公开
公开
机译: 晶体管,一种制造晶体管的方法,一种半导体器件,一种制造半导体器件的方法,一种显示器件,以及一种电子器件,能够抑制水分渗透到氧化物半导体层中
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 一种用于制造半导体器件的方法,其中,通过掩蔽氧化在硅中形成凹陷的氧化硅区域,并通过该工艺制备半导体器件