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陈建新; 袁颖;
北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室;
硅; 硅锗; 半导体工艺; 腐蚀停止技术;
机译:Al诱导结晶生长多晶-SiGe-SiGe-SiGe薄膜中弱致腐蚀现象的证据
机译:用于射频应用的SiGe / SiGe:C工艺中的有源电感器设计
机译:通过扫描莫尔条纹成像研究Si / SiGe / SiGe / SiGe多层中的StrAlned异质界面
机译:低温,低缺损和低成本SiGe选择性外延生长的技术突破(L 3 SUP> SIGE SIGE SEG)工艺,用于45nm节点及更短
机译:Si / SiGe HBT工艺中的超高速数据转换器构建块。
机译:按比例缩小的c-Si和c-SiGe车轮用于可视化湿化学腐蚀剂的各向异性和选择性
机译:在无晶体介质基板/ Kameaev G.N中的Si NanoCrystalls和Sige SiGe溶液的Narget和Sige SiGe溶液,Katsyuba A.v.,Kuchinskaya P.A.,Volodin V.A.,Dvreechensky A.v.
机译:对于频率在0.5和18.5 mHz之间的si / siGe异质结pN二极管的等效电路和载波寿命的研究(Undersoekning av Ekvivalenta Kretsen samt Laddningsbaerarnas Livslaengder fr Frekvenser mellan 0,5 och 18,5 mHz i si / siGe Baserade Heterostruktur-Dioder av pN Typ)
机译:用于电动bodenerforschung的装置,在两个平行的土壤中感应韦氏硬度时,由gleichphasigem和gleichfrequentem交流通流系统建立的研究区域服务于zuleitungskabel喷头,如果安装了该喷头,则如果使用vernachlaessigen中的信息
机译:用于SOI / SiGe技术的形成SiGe和SiGeC掩埋层的结构和方法
机译:SOI / SIGE技术形成SIGE和SIGEC埋层的结构和方法
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