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外文会议
>
Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium
Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium
召开年:
2014
召开地:
Jeju Island(KR)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Charge trap length dependence and transconductance characteristics of a 2T SONOS cell
机译:
2T SONOS电池的电荷陷阱长度依赖性和跨导特性
作者:
Tae-Ho Lee
;
Young-Jun Kwon
;
Jae-Gwan Kim
;
Sung-Kun Park
;
In-Wook Cho
;
Kyung-Dong Yoo
;
Ji-Song Lim
;
Da-Som Kim
;
Woo Young Choi
;
Gyu-Han Yoon
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
BTBT-HHI;
CHEI;
SONOS;
embedded NVM;
mismatch;
2.
Effects of Vpass and vertical pitch on 3D SONOS NAND Flash memory operations
机译:
Vpass和垂直间距对3D SONOS NAND闪存操作的影响
作者:
Jeongsu Lee
;
Gunwoo Lee
;
Onejae Sul
;
Seung-Beck Lee
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
3-D NAND Flash memory;
cell-to-cell interference;
charge trap memory;
semiconductor device modeling;
3.
A world's first product of three-dimensional vertical NAND Flash memory and beyond
机译:
全球首款三维垂直NAND闪存及其他产品
作者:
Ki-Tae Park
;
Dae-Seok Byeon
;
Doo-Hyun Kim
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
3D Vertical NAND Flash;
Gate stack;
WL crosstalk reduction;
enterprise application;
external high voltage supply;
good endurance;
high performance;
negative counter-pulse;
solid-state drive;
4.
ECC with increased hard error correction capability for memory reliability improvement
机译:
具有增强的硬错误纠正功能的ECC,可提高存储器可靠性
作者:
Skoncej Patryk
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
5.
Ferroelectric Hafnium Oxide A Game Changer to FRAM?
机译:
铁电氧化Ha改变FRAM的游戏规则?
作者:
Muller Johannes
;
Polakowski Patrick
;
Riedel Stefan
;
Mueller Stefan
;
Yurchuk Ekaterina
;
Mikolajick Thomas
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
6.
A high-performance solid-state drive by garbage collection overhead suppression
机译:
抑制垃圾回收开销的高性能固态驱动器
作者:
Yamada Tomoaki
;
Chao Sun
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
NAND flash memory;
Solid-state drives;
garbage collection;
7.
Effect of nitrogen-doped GST buffer layer on switching characteristics of conductive-bridging RAM
机译:
掺氮GST缓冲层对导电桥RAM开关特性的影响
作者:
Seokjae Lim
;
Sangheon Lee
;
Jiyong Woo
;
Daeseok Lee
;
Jaesung Park
;
Jeonghwan Song
;
Kibong Moon
;
Jaehyuk Park
;
Prakash Amit
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Conductive Bridging RAM (CBRAM);
buffer layer;
nitrogen doped GeSbTe (N-GST);
on/off ratio;
uniformity;
8.
Investigation of HfO
2
/Ti based vertical RRAM - Performances and variability
机译:
HfO
2 inf> / Ti基垂直RRAM的研究-性能和可变性
作者:
Piccolboni G.
;
Molas G.
;
Carabasse C.
;
Nodin J.F.
;
Pellissier C.
;
Brianceau P.
;
Vianello E.
;
Pollet O.
;
Perrin F.
;
Cluzel J.
;
Toffoli A.
;
Aussenac F.
;
Delaye V.
;
Ghibaudo G.
;
De Salvo B.
;
Perniola L.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
HfO;
OXRAM;
Scaling;
Ti;
Vertical RAM;
resistive RAM;
9.
Considerations on highly scalable and easily stackable phase change memory cell array for low-cost and high-performance applications
机译:
针对低成本和高性能应用的高度可扩展且易于堆叠的相变存储单元阵列的考虑
作者:
Dae-Hwan Kang
;
Song Yi Kim
;
Sang Su Park
;
Sung Ho Eun
;
Jong Whan Ma
;
Jae Hyun Park
;
Il Mok Park
;
Kyu Sul Park
;
Jaehee Oh
;
Zhe Wu
;
Jaehee Oh
;
Zhe Wu
;
Jeong Hee Park
;
Sug Woo Jung
;
Ho Kyun Ahn
;
Youngsoo Lim
;
Sung-Rae Cho
;
Gi-Tae Jeong
;
Dong-ho Ahn
;
Seok Woo Nam
;
Gi-Tae Jeong
;
Gyo Young Jin
;
Eun Seung Jung
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Damascene Ge-Sb-Te technologies;
memory subsystem;
phase change memory;
poly Si diode;
self-aligned cell patterning;
10.
Enhanced cycling endurance in phase change memory via electrical control of switching induced atomic migration
机译:
通过电子控制开关诱发的原子迁移,增强相变存储器的循环寿命
作者:
Sanghyeon Lee
;
Gwihyun Kim
;
Seungwoo Hong
;
Seung Jae Baik
;
Hori Hideki
;
Dong-ho Ahn
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Phase change random access memory (PRAM);
atomic migration;
cycling endurance;
non-volatile memory;
11.
Readability challenges in deeply scaled STT-MRAM
机译:
深度扩展的STT-MRAM中的可读性挑战
作者:
Wang Kang
;
Yuanqing Cheng
;
Youguang Zhang
;
Ravelosona Dafine
;
Weisheng Zhao
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
STT-MRAM;
read disturbance;
readability;
reconfigurable cell;
sensing margin;
12.
Effect of TiO
x
-based tunnel barrier on non-linearity and switching reliability of resistive random access memory
机译:
TiO
x inf>基隧道势垒对电阻随机存取存储器的非线性和开关可靠性的影响
作者:
Sangheon Lee
;
Daeseok Lee
;
Jiyong Woo
;
Euijun Cha
;
Jeonghwan Song
;
Jaesung Park
;
Kibong Moon
;
Yunmo Koo
;
Seokjae Lim
;
Jaehyuk Park
;
Prakash Amit
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Non-linearity;
Reliability;
Resistive switching;
13.
Scalable Logic Gate Non-Volatile Memory
机译:
可扩展逻辑门非易失性存储器
作者:
Lee Wang
;
Shi-Ming Hsu
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
CMOS;
Logic;
Non-Volatile Memory;
Scalable;
14.
Scaling of oxide-based resistive switching devices
机译:
缩放基于氧化物的电阻式开关器件
作者:
Ielmini D.
;
Ambrogio S.
;
Balatti S.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Resistive switching memory;
metal oxide;
nonvolatile memory;
scaling;
variability;
15.
Disturbance-suppressed ReRAM write algorithm for high-capacity and high-performance memory
机译:
高容量和高性能存储器的受干扰抑制的ReRAM写算法
作者:
Dae Seok Byeon
;
Chi-Weon Yoon
;
Hyun-Kook Park
;
Yong-Kyu Lee
;
Hyo-Jin Kwon
;
Yeong-Taek Lee
;
Ki-Sung Kim
;
Yong-Yeon Joo
;
In-Gyu Baek
;
Young-Bae Kim
;
Jeong-Dal Choi
;
Kye-hyun Kyung
;
Jeong-Hyuk Choi
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
3D-Stack;
Cross-point;
Emerging memory;
High density;
Multi-bit cell;
NAND Application;
ReRAM;
Resistive switching;
Scaling limit;
Write Disturbance;
16.
Fabrication of topological-switching RAM (TRAM)
机译:
拓扑交换RAM(TRAM)的制造
作者:
Takaura N.
;
Ohyanagi T.
;
Tai M.
;
Morikawa T.
;
Kinoshita M.
;
Akita K.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Charge Injection enhancement;
GeTe/Sb;
Te;
superlattice;
TRAM (Topplogical switching RAM);
17.
Thermal stability investigation in highly- uniform and low-voltage tantalum oxide-based RRAM
机译:
高均匀性和低压氧化钽基RRAM的热稳定性研究
作者:
Zhuo V.Y.-Q.
;
Jiang Y.
;
Robertson J.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Tantalum oxide;
resistive random access memory (RRAM);
resistive switching;
thermal stability;
18.
Adjustable voltage dependent switching characteristics of PRAM for low voltage programming of multi-level resistances
机译:
可调电压相关的PRAM开关特性,用于多级电阻的低压编程
作者:
Gwihyun Kim
;
Sanghyun Lee
;
Seungwoo Hong
;
Seung Jae Baik
;
Hori Hideki
;
Dong-ho Ahn
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
MLC PRAM;
microstructual model;
programming pulse;
reset initialization;
19.
Characteristics comparison of standard logic and HVCMOS processed SGLC embedded NVM
机译:
标准逻辑和HVCMOS处理的SGLC嵌入式NVM的特性比较
作者:
Sung-Kun Park
;
Nam-Yoon Kim
;
Kwang-il Choi
;
Jae-Gwan Kim
;
In-Wook Cho
;
Kyung-Dong Yoo
;
Eun-Mee Kwon
;
Sang-Yong Kim
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
embedded NVM;
lateral coupling;
logic compatible;
20.
The temperature dependence of threshold voltage variations due to oblique single grain boundary in 3D NAND unit cells
机译:
3D NAND单元单元中由于倾斜的单个晶界引起的阈值电压变化的温度依赖性
作者:
Jungsik Kim
;
Bo Jin
;
Meyyappan M.
;
Hyeongwan Oh
;
Junyoung Lee
;
Taiuk Rim
;
Chang-Ki Baek
;
Jeong-Soo Lee
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
3D NAND;
Single grain boundary;
poly-Silicon channel;
temperature;
21.
Investigation of power dissipation for ReRAM in crossbar array architecture
机译:
交叉开关阵列架构中ReRAM的功耗研究
作者:
Wookyung Sun
;
Hyein Lim
;
Hyungsoon Shin
;
Wootae Lee
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
ReRAM;
crossbar array;
power dissipation;
22.
Resistive switches in Ta
2
O
5-α
/TaO
2−x
Bilayer and Ta
2
O
5-α
/TaO
2−x
/TaO
2−y
Tri-layer Structures
机译:
Ta
2 inf> O
5-α inf> / TaO
2 − x inf>双层和Ta
2 inf> O
5-α inf> / TaO
2 − x inf> / TaO
2 − y inf>三层结构
作者:
Jie Feng
;
Xiaorong Chen
;
Dukwon Bae
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
R;
/R;
ratio;
RRAM;
bilayer structure;
tri-layer structure;
23.
Grain size monitoring of 3D flash memory channel poly-Si using multiwavelength Raman spectroscopy
机译:
使用多波长拉曼光谱监测3D闪存通道多晶硅的晶粒尺寸
作者:
Woo Sik Yoo
;
Ishigaki Toshikazu
;
Ueda Takeshi
;
Kang Kitaek
;
Noh Yeal Kwak
;
Dong Sun Sheen
;
Sung Soon Kim
;
Min Sung Ko
;
Wan Sup Shin
;
Byung Seok Lee
;
Seung Jin Yeom
;
Sung Ki Park
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
3D V-NAND;
Raman spectroscopy;
channel poly Si;
poly Si grain size monitoring;
thermal crystallization annealing;
24.
8-inch wafer-scale HfO
x
-based RRAM for 1S-1R cross-point memory applications
机译:
用于1S-1R交叉点存储应用的基于8英寸晶圆级HfO
x inf>的RRAM
作者:
Jiyong Woo
;
Jeonghwan Song
;
Kibong Moon
;
Seokjae Lim
;
Daeseok Lee
;
Sangheon Lee
;
Prakash A.
;
Hyunsang Hwang
;
Jongmin Baek
;
Kee-won Kwon
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
1S-1R configuration;
1T-1R configuration;
HfO;
RRAM;
25.
Novel strained SiGe/TaO
x
/Ta RRAM device fabricated by fully CMOS compatible process
机译:
通过完全兼容CMOS工艺制造的新型应变SiGe / TaO
x inf> / Ta RRAM器件
作者:
Jiang Y.
;
Tan C.C.
;
Yeo E.G.
;
Li M.H.
;
He W.
;
Zhuo V.Y.-Q.
;
Fang Z.
;
Weng B.B.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
CMOS compatible process;
Resistive random access memory (RRAM);
SiGe Electrode;
TaO;
26.
A fast dry etching of magnetic tunnel junction using a new plasma source
机译:
使用新的等离子体源对磁性隧道结进行快速干法蚀刻
作者:
Whang K.W.
;
Cheong H.W.
;
Kim J.W.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Dry ethcing;
Ion current density;
Magnetic Tunnel Junction (MTJ);
Magnetized Inductively Coupled Plasma (M-ICP);
Plasma density;
27.
Impact of MIM versus NPN selector on dynamic power in bipolar RRAM array
机译:
MIM与NPN选择器对双极RRAM阵列中动态功率的影响
作者:
Kumar V.
;
Ganguly U.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
MIM;
NPN;
RRAM;
dynamic power;
selector;
28.
Self-compliance SET switching and multilevel TaO
x
resistive memory by current-sweep operation
机译:
通过电流扫描操作实现自一致性SET切换和多级TaO
x inf>电阻存储器
作者:
Li M.H.
;
Jiang Y.
;
Zhuo V.Y.-Q.
;
Yeo E.-G.
;
Law L.-T.
;
Lim K.-G.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
DC switching;
SET switching;
current sweep;
resistive memory;
29.
Low power computing using STT-MRAM
机译:
使用STT-MRAM进行低功耗计算
作者:
Kejie Huang
;
Rong Zhao
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
30.
Voltage Designability: An enabler for selector technology
机译:
电压可设计性:选择器技术的推动者
作者:
Mandapati R.
;
Das B.
;
Ostwal V.
;
Ganguly U.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Cross-point element;
Non-Volatile Memory;
Selector Device;
Selector Variability;
Voltage Designability;
31.
3-bit read scheme for single layer Ta
2
O
5
ReRAM
机译:
单层Ta
2 inf> O
5 inf> ReRAM的3位读取方案
作者:
Schonhals A.
;
Waser R.
;
Menzel S.
;
Rana V.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
complementary switching (CS);
multilevel;
pulse read;
resistive switching memory (ReRAM);
tantalum oxide;
32.
New screened plasma-enhanced atomic vapor deposition to improve trench covering ability of SbTe films
机译:
新型屏蔽等离子体增强原子气相沉积技术,可提高SbTe膜的沟槽覆盖能力
作者:
Jin Hwan Jeong
;
Doo Jin Choi
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
atomic vapor deposition;
effective sticking coefficient;
phase-change materialst;
plasma sheath;
trench-covering ability;
33.
ZrO
2
doped GeTe for aerospace applications
机译:
ZrO
2 inf>掺杂的GeTe用于航空航天应用
作者:
Chua E.K.
;
Yeap C.C.
;
Li M.H.
;
Lim K.G.
;
Law L.T.
;
Wang W.J.
;
Yeo E.G.
;
Ernult F.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
Aerospace;
GeTe;
PCRAM;
ZrO;
-doped;
stability;
34.
A scaling of cell area with perpendicular STT-MRAM cells as an embedded memory
机译:
使用垂直STT-MRAM单元作为嵌入式存储器来缩放单元区域
作者:
Tanaka Chika
;
Abe Keiko
;
Noguchi Hiroki
;
Nomura Kumiko
;
Ikegami Kazutaka
;
Fujita Shinobu
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
MTJ;
STT-MRAM;
cache-memory;
cell area;
layout;
scaling;
35.
CBRAM corner analysis for robust design solutions
机译:
CBRAM拐角分析提供了可靠的设计解决方案
作者:
Longnos F.
;
Reyboz M.
;
Jovanovic N.
;
Levisse A.
;
Benoist T.
;
Suraci G.
;
Thomas O.
;
Vianello E.
;
Molas G.
;
De Salvo B.
;
Perniola L.
会议名称:
《Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium》
|
2014年
关键词:
CBRAM;
compact modeling;
corner;
oxide;
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